SJ 50033.67-1995 半导体分立器件.3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范
|
ID： |
CB7FF8D3B8394DA6B3CD6C6D03D77518 |
|
文件大小(MB)： |
0.44 |
|
页数： |
11 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/67-1995,半导体分立器件,3DD103型高压低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD103,high - voltage low — frequency and high-power transistor,1995-05N5 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www.*bzfxw. com下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD103型高压低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD103,high - voltage^ low - frequency and high-power transistor,SJ 50033/67-1995,1范围,1J主题内容,本规范规定了 3DDiO3A~E型高反压低旗大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军,三级,分别用字母GP,GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587— 84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB128—86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镇层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布 !995-12-0I实施,—1 —,SJ 50033/67-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-01C型及如下的规定。见图!o,mm,B2-01C,min nam max,A 8.63,12.19,L52,他0.966 1.092,和22.86,d 5.46f,F 3.5,L 8 ェ39,レ1.52,即3.84 4.21,g 29.90 30.40,段13.58,% 4.82,s 1C89*,5 40.13,Uz 27.17,集电极接外壳 图1 3DD1O3外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,ゼ,Tc-25t,(W),^CBO,(V),y回,(V),Vebo,(V),&,(A) (V),レ,(V),3DD103A,75,300 200,5,3 175 亠 551175,3 MH038 600 執,3DD1O3C 800 400,3DD103D 1200 600,8,3DD103E 1500 800,注J)TC>25L时按0.5W/V的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性(Ta = 25C),2,下载,SJ 50033/67-1995,\ 极限值,型号 X,ス用,VCE=10V,/C=1.5A,^CEsat,1c = 3A,…A,(V),打,Ic 2.5V,1.1A,(同,R⑹宀,「宀。V,fc = 2A,25t =
……